HTpicts

用于材料分析的優(yōu)良高溫少子壽命測(cè)量系統(tǒng)

HT picts高溫少子壽命測(cè)量系統(tǒng)專門用于寬禁帶半導(dǎo)體中的少子壽命和深能級(jí)缺陷檢測(cè)，用于寬禁帶材料在高溫區(qū)間的非接觸、無(wú)損傷的溫度依賴型測(cè)量，涵蓋少子壽命、電學(xué)特性表征及深能級(jí)缺陷研究。（涵蓋瞬態(tài)模式μPCD、穩(wěn)態(tài)模式MDP、微波光電導(dǎo)等方法，符合SEMI PV9-1110 半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)）

碳化硅 |氧化鎵| 氮化鋁 | 氮化鎵｜金剛石｜等

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HT picts高溫少子壽命測(cè)量系統(tǒng)重點(diǎn)優(yōu)勢(shì)： 

1）專門用于寬禁帶和超寬禁帶材料深能級(jí)缺陷測(cè)量

2）深能級(jí)缺陷研究的高溫條件

3）針對(duì)各類材料的定制化激光集成方案

4）全自動(dòng)溫度調(diào)節(jié)測(cè)量

技術(shù)規(guī)格：   

應(yīng)用案例：

磷化銦（InP）中缺陷能級(jí)的研究 

微波探測(cè)光電導(dǎo)瞬態(tài)譜（HT-PICTS）是表征磷化銦中缺陷能級(jí)的理想方法。例如，針對(duì)磷化銦（InP）的研究表明，退火過程會(huì)改變材料中的缺陷濃度，而這一變化或許會(huì)對(duì)其電性能分布產(chǎn)生影響。

未處理樣品的缺陷濃度取決于其在晶體中的位置，而晶圓退火處理后的樣品則呈現(xiàn)出一組統(tǒng)一的缺陷能級(jí)。圖1對(duì)比了取自晶體不同位置的摻雜鐵元素半絕緣磷化銦樣品，這些樣品的特征缺陷能級(jí)存在差異。含鐵磷化銦樣品中觀測(cè)到的特征譜峰，頭一次證實(shí)了鐵在磷化銦中可作為復(fù)合中心發(fā)揮作用。

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS） 

用于研究半導(dǎo)體中的缺陷，溫度依賴型方法（類似深能級(jí)瞬態(tài)譜-DLTS）已被廣泛應(yīng)用。